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首頁 > 期刊 > 半導體信息 > 金剛石熱控制提高InAlGaN晶體管輸出功率 【正文】

金剛石熱控制提高InAlGaN晶體管輸出功率

摘要：日本富士通研究所近期報道了在金剛石熱控制的基礎上,適用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中熱管理是實現(xiàn)更高功率密度的關鍵步驟。金剛石是一種具有非常高導熱性的材料。

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半導體信息雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：企業(yè)指南、國內外半導體技術與器件、市場動態(tài)等。于1990年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。

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