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基于g m/Id參數(shù)的CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)重用方法

作者：于浩; 郭裕順; 李康 杭州電子科技大學(xué)電子信息學(xué)院; 浙江杭州310018

摘要：模擬電路的設(shè)計(jì)重用是提高模擬與混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)效率的重要途徑.本文提出了一種基于gm/Id參數(shù)的不同工藝之間同一結(jié)構(gòu)電路的設(shè)計(jì)移植方法.方法的基本思想是保持移植前后電路中部分關(guān)鍵MOS管的gm/Id參數(shù),從而使移植后電路的性能也基本保持不變.介紹了基于BSIM等模型的gm/Id匹配及移植電路參數(shù)確定方法.給出了一個(gè)Miller補(bǔ)償兩級(jí)運(yùn)放及一個(gè)折疊共源共柵運(yùn)放從0.35μm工藝到0.18μm、0.13μm、90nm工藝的移植仿真結(jié)果.與現(xiàn)有方法相比,本文方法可以更小的計(jì)算代價(jià),得到性能基本相同、但功耗與面積縮減的電路.

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