GaN基綠光LED芯片電流加速失效機理研究
作者：莊瓊云; 潘書萬; 陳松巖; 李志明 黎明職業(yè)大學信息與電子工程學院; 福建泉州362000; 華僑大學工學院; 福建泉州362021; 廈門大學物理學半導體光子學研究中心; 福建廈門361005; 三安光電股份有限公司; 福建廈門361009
摘要：采用電流加速的電應力老化方法研究GaN基綠光 LED芯片的失效機理。LED芯片在經過60 mA 電流老化424 h后,其發(fā)光效率總體趨勢都是隨老化時間增加而減小,但是小測量電流相比于大測量電流的發(fā)光效率衰減程度更為明顯。同時,在正向偏壓下電流電壓曲線基本沒有變化,而反向偏壓下的反向電流隨老化時間的增加而快速增加。筆者認為在電應力老化作用下,隨老化時間增加,有源區(qū)的缺陷能級增多,在正向偏壓下,缺陷能級起到一個有效陷阱的作用,增加了載流子的壽命,降低了輻射復合的幾率,使得發(fā)光效率降低,但是并沒有減小正向偏壓下的電流,而反向偏壓時,缺陷能級起到了一個漏電通道的作用,使得反向電流增大。
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光電子激光雜志
光電子激光雜志， 月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：光電子器件和系統(tǒng)、圖像與信息處理、測量·檢測、光物理、光電子信息技術等。于1990年經新聞總署批準的正規(guī)刊物。
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