電極/表面接觸與SrTiO3陶瓷片介電性能的關(guān)系
作者：加晶晶; 董浩; 石大為; 黃秋安; 何創(chuàng)創(chuàng); 龐錦標(biāo); 楊昌平 湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院; 湖北武漢430062; 貴州振華電子信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究有限公司; 貴州貴陽550018
摘要：理論上,SrTiO3(以下簡稱STO)晶界層電容器介電常數(shù)取決于陶瓷片的晶粒大小、導(dǎo)電性、晶界絕緣層的厚度和介電常數(shù).但對實(shí)際的STO晶界層陶瓷電容器研究發(fā)現(xiàn),金屬電極與STO陶瓷片的表面接觸對電容器的電容和介電常數(shù)也有很大影響.研究表明,當(dāng)電極/STO為非歐姆接觸時,STO陶瓷片的電容和介電常數(shù)較小;當(dāng)電極/STO為歐姆接觸時,STO陶瓷片電容器的電容和介電常數(shù)增大.采用Ag漿制作電極時,通過調(diào)整燒制Ag電極的溫度和時間,當(dāng)T=880℃,t=3.5h時,STO電容器的介電性能達(dá)到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%.
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湖北大學(xué)學(xué)報·哲學(xué)社會科學(xué)版雜志
湖北大學(xué)學(xué)報·哲學(xué)社會科學(xué)版雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：政治學(xué)研究、哲學(xué)研究、經(jīng)濟(jì)學(xué)研究、法律學(xué)研究、管理學(xué)研究、文學(xué)研究、語言學(xué)研究、心理學(xué)研究等。于1974年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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