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新型閃爍晶體Gd3(Al,Ga)5O12:Ce^3+的研究進(jìn)展

作者：孟猛; 祁強(qiáng); 丁棟舟; 赫崇君; 施俊杰; 任國(guó)浩 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所; 上海200050; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料與光電研究中心; 北京100049; 南京航空航天大學(xué)航天學(xué)院; 南京211106; 上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 上海200093; 中國(guó)科學(xué)院海西創(chuàng)新研究院; 福州350002

摘要：無(wú)機(jī)閃爍晶體在核輻射探測(cè)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用,鈰摻雜鋁酸釓鎵(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,縮寫為GAGG:Ce)閃爍晶體性能優(yōu)良,在高能物理、γ相機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,因此成為了當(dāng)前閃爍體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文總結(jié)了GAGG:Ce閃爍晶體近年來(lái)主要的研究進(jìn)展;分析了GAGG:Ce晶體的結(jié)構(gòu)及其穩(wěn)定性;闡述了反位缺陷對(duì)晶體發(fā)光性能的影響;通過(guò)"帶隙工程"理論解釋了Gd、Ga離子摻雜消除反位缺陷的機(jī)理;總結(jié)了近年來(lái)GAGG:Ce晶體生長(zhǎng)中存在的問(wèn)題及解決途徑;梳理了GAGG:Ce晶體的發(fā)光機(jī)理、閃爍性能及其影響因素;對(duì)各國(guó)團(tuán)隊(duì)通過(guò)陽(yáng)離子摻雜的"缺陷工程"理論抑制GAGG:Ce晶體閃爍衰減慢分量的研究進(jìn)行分析總結(jié);展望了GAGG:Ce閃爍晶體發(fā)展方向。

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人工晶體學(xué)報(bào)雜志

人工晶體學(xué)報(bào)雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：研究快報(bào)、研究論文、綜合評(píng)述、封面圖片等。于1972年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。

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