一種提取GaN功率HEMT器件熱阻抗的方法
作者：張學(xué)斌; 吳洪江; 張志國 海軍駐上海地區(qū)航天系統(tǒng)軍事代表室; 上海200090; 中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051
摘要：提出了一種提取GaN功率HEMT器件熱阻抗的新方法。該方法對熱阻抗自身的功耗非線性特性進行了考慮,克服了傳統(tǒng)功率器件熱阻抗提取方法,通常只能獲得熱阻抗實部(直流熱電阻特性),不能提取熱阻抗虛部(交流熱電容特性),以及難以確定熱阻抗自身隨功耗變化特性等的缺陷,該方法在河北半導(dǎo)體研究所0.25μm AlGaN/GaN HEMT工藝中得到驗證。
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