摻磷多晶硅工藝及其腐蝕速率的研究
作者：李洪海; 孔明 中國電子科技集團公司第四十七研究所; 沈陽110032
摘要：為更好掌握摻磷多晶硅腐蝕速率的變化規(guī)律,進而保障和改進MOS晶體管的柵極質(zhì)量,從直接影響腐蝕速率的關(guān)鍵工步,包括多晶硅摻磷的均勻性及摻磷后表面氧化層處理兩個方面入手,對擴散原理、摻雜方式、三氯氧磷熱分解過程、摻磷多晶硅等原理進行了闡述,并分析了薄膜質(zhì)量與各項工藝參數(shù)的關(guān)系。先通過理論分析,確定在同等工藝條件下,摻磷時間以及摻磷后表面氧化層處理方法是直接影響摻磷多晶硅腐蝕速率的關(guān)鍵工藝,然后在工藝實驗中實際監(jiān)控腐蝕速率的變化,對不同摻磷時間以及摻磷后處理方式的樣片進行對比驗證,從測試結(jié)果中確定最佳工藝條件。本研究可為摻磷多晶硅工藝質(zhì)量控制方法提供依據(jù)。
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微處理機雜志
微處理機雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：大規(guī)模集成電路設(shè)計、制造與應(yīng)用、微機網(wǎng)絡(luò)與通信、微機軟件、微機應(yīng)用等。于1979年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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