CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應(yīng)仿真研究進展
作者：趙元富; 王亮; 舒磊; 劉家齊; 劉琳; 岳素格; 李同德; 李園; 顧問 北京微電子技術(shù)研究所; 北京100076; 哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院; 哈爾濱150001; 北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院; 北京100124
摘要：以CMOS存儲單元為研究對象，介紹了仿真在CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應(yīng)機理及電路抗單粒子加固設(shè)計方面的研究進展，討論了特征尺寸的縮小對單粒子輻射效應(yīng)的影響，提出了利用交叉隔離和錯誤猝熄的方法改進傳統(tǒng)存儲單元的加固性能，并通過試驗驗證了該方法的有效性。
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現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志
現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志， 季刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：物理量的定義和測量的假設(shè)選擇、理論數(shù)學(xué)、理論與實驗等。于2010年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。
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