摘要:針對(duì)壓接型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)內(nèi)部均流設(shè)計(jì),對(duì)多芯片壓接結(jié)構(gòu)及其壓力均衡、壓接型IGBT芯片內(nèi)部均流、子單元間均流等方面進(jìn)行了研究和優(yōu)化設(shè)計(jì)。試驗(yàn)驗(yàn)證了壓接型IGBT具有良好的電流關(guān)斷能力、短路電流能力及反偏安全工作區(qū),器件內(nèi)部均流狀態(tài)較好。
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中國(guó)電力雜志, 月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:電能質(zhì)量及其治理技術(shù)專欄、電網(wǎng)、發(fā)電、新能源等。于1956年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。